Обнаружен механизм улучшения памяти

eLife: обнаружен механизм улучшения памяти

Ученые Орхусского университета обнаружили механизм улучшения памяти. Согласно статье, опубликованной в журнале eLife, воспоминания могут быть усилены последующими переживаниями, даже если они не связаны напрямую с первоначальным опытом.

Долгое время формирование памяти объяснялось моделью Хебба, согласно которой синапсы (контакты между нервными клетками), усиленные одновременной активацией нейронов, становятся основой долговременной памяти. Однако новое исследование показало, что синаптическая пластичность может распространяться на соседние синапсы, которые не были напрямую активированы. Этот процесс получил название гетеросинаптической пластичности.

В ходе эксперимента нейробиологи использовали мышей, которых подвергали оптогенетической стимуляции нейронов миндалевидного тела и ударам электрического тока. Миндалевидное тело является областью мозга, отвечающего за чувство страха, однако если стимуляция нейронов светом происходила одновременно с ударом тока, то никакой долговременной ассоциативной связи между обоими воздействиями не выявлялась.

Иная картина возникала, если оптогенетическая стимуляция происходила за несколько минут до или после, или даже через 24 часа после воздействия током, ассоциативный опыт был преобразован в длительную память.

Гетеросинаптическая пластичность позволяет последующим эмоциональным переживаниям усиливать память, даже если они происходят через некоторое время после первоначального события. Это открытие, противоречащее традиционной модели Хебба, открывает новые перспективы для создания методов обучения и лечения, направленных на улучшение памяти.